英敏菊  教授，博士生导师

通信地址：北京市新街口外大街19号 北京师范大学核科学与技术学院

邮 编：100875

E-mail：mjying@bnu.edu.cn

教育与工作经历：

1994/9-1998/7山东大学，光电子技术，学士

1998/9-2003/6山东大学，光学工程，博士，导师：夏曰源 教授

2003/7-2005/6中科院物理所表面物理国家重点实验室，博士后，导师：薛其坤 院士

2005/07 - 至今，北京师范大学，核科学与技术学院,讲师,副研究员,教授

2011/11-2012/11, 英国谢菲尔德大学，物理与天文学系，访问学者，合作导师：Mark Fox教授和Gillian Gehring教授

科研项目：

1.  国家自然科学基金面上项目，11875088，缺陷调制室温铁磁性ZnO半导体材料的离子束制备与极性调控，2019/01-2022/12，66万元，主持, 在研

2.  国家自然科学基金面上项目，11675280，氧化锌抗辐射特性研究及新型高能辐射探测器研制 ，2017/01-2020/12，与物理所合作，师大经费24.01万, 在研

3.  国家自然科学基金面上项目,  11974048, 过渡金属硫族化合物（TMDs)分形结构异质结的可控制备及其光电催化制氢反应的研究, 2020/01-2023/12，64万元，参与，在研

4.  中科院物理所清洁能源前沿研究重点实验室开发课题基金, KJHX2019045, 高性能双沟道柔性高压薄膜晶体管, 2019/04-2021/03, 2 万元, 主持, 在研

5.  中央高校基本科研业务费专项资金资助项目，离子注入宽禁带氧化物半导体的缺陷铁磁性研究，2016/01-2018/12，35万元，主持, 结题

6.  清华大学低维量子物理国家重点实验室开放课题，KF201404、拓扑绝缘体/拓扑晶体绝缘体超晶格中的拓扑相变和输运性质研究，2014/10-2016/10，8 元，主持，结题

7.  中央高校基本科研业务费专项资金资助项目，磁性离子掺杂氧化锌基稀磁半导体的改性机理研究，2011/01-2012/12，10万元，主持，结题

8.  国家自然科学基金青年基金项目，10604007，Si基ZnO薄膜的表面/界面工程与第一性原理计算，2007/01-2009/12，30万元，主持，结题

9.  北京市科技院萌芽项目，离子注入ZnO p-型掺杂研究，2007/01-2008/12，3万元，主持，结题

10.  北京市科委项目, 离子束分析在北京市大气细粒子成分分析和来源解析中的应用, 2009.1-2009.12, 50万，参与，结题

11.  国家自然科学基金面上项目，60476044，ZnO基稀磁半导体单晶薄膜以及稀磁/非磁/稀磁三明治结构的制备与物性研究，2005/01-2007/12，26万，参与，第二承担人，结题

12.  国家自然科学基金重大研究计划，90203013、DNA物理性质的分子动力学模拟和第一原理计算、2003/01-2005/12， 21万，参与, 第三承担人,结题

学术成果:

多年来一直从事半导体薄膜材料与离子束材料改性研究，研究方向主要包括离子注入半导体材料表面改性研究、宽禁带半导体抗辐射特性研究以及新型二维范德华异质结的离子束调控研究，在“Journal of Materials Chemistry C”（SCI一区Top，影响因子6.641），Appl. Phys. Lett.， Mater. Lett. 等期刊发表学术论文60余篇，获得多项发明专利，为Appl. Phys. Lett.，Journal of Applied Physics 等多家SCI期刊审稿人, 中国电工技术学会电子束离子束专委会委员。